西工大新闻网12月4日电（孙茂钧 王涛）受我校材料学院介万奇教授和王涛副教授邀请，日本静冈大学Toru Aoki教授、乌克兰国家科学院半导体物理研究所Volodymyr Gnatyuk教授和Kateryna Zelenska博士于11月28日访问学院辐射探测材料与器件工业和信息化部重点实验室，并分别做了题目为“CdTe gamma-ray spectroscopy”、“Characterization of Cd1-xZnxTe crystals, modification of their properties by surface processing and formation of diodes for X/γ-ray detectors”和“Techniques of formation of CdTe-based diode-type for X/γ-ray detectors”的学术报告。

报告会上，Toru Aoki教授首先向介绍了日本静冈大学及其所在课题组的基本情况，重点讲解了其团队在CdTe辐射探测材料和成像器件领域的工作进展。Volodymyr Gnatyuk教授介绍了乌克兰国家科学院半导体物理研究所的基本情况，讲解了其团队通过化学刻蚀，激光诱导，离子轰击等表面处理方法对碲锌镉晶体改性，并且在此基础上制备用于X射线和γ射线探测的结型探测器的工作。他们采用纳秒级脉冲激光对CZT晶体进行表面处理并研究其处理前后的光电性能，发现随着激光密度增加，CZT晶体的光敏性增加。通过激光诱导掺杂实现了CdTe晶体表面镀In以制备M-p-n结构的In / CdTe / Au二极管，还制备了Ni / CdTe / Ni，Ni / CdTe / Au，Cr / CdTe / Au型肖特基二极管。

报告会后，Toru Aoki教授、Volodymyr Gnatyuk教授和Kateryna Zelenska博士参观了辐射探测材料与器件工业和信息化部重点实验室，在了解了实验室的研究方向和科研设备后，对实验室的建设和发展水平给予了充分肯定，同时也对实验室的课题方向产生了浓厚兴趣，并表示了明确的合作意向，将进一步从多方位加深与我校的学术交流合作。

附：报告人简介

Toru Aoki，日本静冈大学电子研究所/医学光子学研究生院/信息学学院教授，日本应用物理学会会员，IEEE、SPIE成员，主要致力于采用CdTe化合物半导体和光子计数法开发X射线/γ射线/中子辐射探测器和成像器件研究。

Volodymyr Gnatyuk，乌克兰国家科学院半导体物理研究所研究员，静冈大学名誉教授，致力于激光诱导CdTe晶体掺杂以及用于X /γ射线探测器的Cd（Zn）Te二极管的开发。

Kateryna Zelenska，日本静冈大学电子研究所纳米器件实验室、基辅国立大学塔拉斯·舍甫琴科物理学院博士，致力于半导体激光加工，激光光谱学，半导体X射线和伽马射线探测器的开发以及SOI MOSFET的低温传输性能研究。

（审稿：黄越）